JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Dialog halverar förlusterna med Smart GaN

Smart GaN är namnet på en ny teknik från brittiska Dialog Semiconductor. Först ut är en halvbrygga, baserad på två GaN-transistorer integrerade med drivning, logik och analoga block. Den halverar förlusterna vid kraftomvandling och är världens första i sitt slag att släppas på bred front från en större halvledartillverkare, hävdar Dialog.

Kretsen som Dialog Semiconductor planerar att släppa under årets fjärde kvartal heter DA8801. Det är den första i en framtida produktportfölj och tillverkas i taiwanesiska TSMC:s galliumnitrid-på-kisel-process som ger krafttransistorer på 650V.

Nykomlingen är en integrerad krets med en halvbrygga byggd av två GaN-transistorer samt analoga block, drivning, logik och skydd. Jämfört med motsvarande krets i kisel halverar denna förlusterna, enligt Dialog. Detta på grund av att GaN-transistorer är snabbare, mindre och effektivare än kiseltransistorer.

Till en början siktar Dialog på att Smart GaN-konstruktioner i kombination med företagets välkända styrenheter för kraftomvandling –  Rapid Charge – ska ta en plats i snabbladdare för smartmobiler och datorer. Sannolikt är det ett smart drag eftersom Dialogs Rapid Charge-controller redan idag har över 70 procent av den marknaden.

Enligt Dialog kan den nya tekniken minska storleken på kraftelektronik med 50 procent. Det betyder att en 45W-konstruktion skulle rymmas i en 25W-lösning av idag, eller kanske till och med få en mindre formfaktor.

 

 

MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Anne-Charlotte Lantz

Anne-Charlotte
Lantz

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)